博客文章

技术笔记、论文精读与科研思考 —— 把学到的知识重新讲一遍,是理解它的最好方式。

自旋电子学与 AI 芯片:从 GMR 到 MRAM

从 2007 年诺贝尔物理学奖的巨磁电阻出发,理解 TMR、STT-MRAM 与自旋芯片为何天然适合做存算一体。

模拟存内计算的电路级设计挑战

ADC 功耗占掉半边天、器件变差毁掉整个 macro……聊聊模拟 CIM 工程师真正要面对的那些"坑"与对策。

SOT-MRAM 存内计算:原理、优势与挑战

深入三端结构、读写解耦机制与 CIM 宏单元设计,看看自旋存储器如何从"存数据"进化到"算数据"。